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哈喽，大家好，今天跟大家聊聊利用LPCVD工艺制作氮化硅（SiN）和二氧化硅（SIO2）.

▌氮化硅（SiN）材料的特点

氮化硅是一种无机物，化学式为Si3N4。它是一种重要的结构性陶瓷材料，硬度比较大，其本身比较润滑，而且耐磨损，为原子晶体结构；在高温状态时抗氧化性强。最主要的是它还能抵抗冷热冲击，在空气中如果加热到1000℃以上，急剧冷却后再急剧加热，也不会因此碎裂哦。

▌氮化硅（SiN）在半导体制程的应用：

1.用作杂质进行扩散的掩蔽层；

2.用作各薄膜层(Film)之间的隔离层；

3.用作黄光的抗反射层；

4.用作蚀刻或CMP的终止层（防止被穿破）；

▌在LPCVD工艺时相关的化学反应如下：糖心vlog在线观看

3SIH2Cl2 + 4NH3 --> Si3N4 + 6HCl + 6H2

HCl + NH3 --> NH4Cl

------或者------

3SIH2Cl2 + 10NH3 --> Si3N4 + 6NH4Cl + 6H2

影响这个工艺制程的因素有：温度，压力，气体的总量和比重

1. 温度下降会导致淀积速率下降，生产效率降低。
2. 压力下降会导致淀积速率下降，生产效率降低。
3. 气体的总量上升，副产物就会增多，杂质颗粒增多，影响产品质量。
4. DCS/NH3的气体的比重上升，影响薄膜层的质量，杂质颗粒也会增多，影响产品质量。
5. 
   

▌TEOS指的是四乙氧基硅烷，又叫硅酸四乙酯。

TEOS材料的特性：无色液体，微溶于水和苯，易溶于乙醚和乙醇等，主要的是因为TEOS生长的二氧化硅（SIO2）可以在低温下进行，且流动性好。

▌SiO2的特性

1.很高的绝缘性能，也就是电阻率大。

2.光的透过率很高，光信号传输稳定。

3.有很高的化学稳定性和热稳定性，在高温状态下也能保持很好的性能。

▌由TEOS产生的SIO2的用途：

1.在ONO结构中作为隔离层。

2.作为ILD(介质层) 的填充层。

▌其在LPCVD工艺时相关的化学反应如下：

Si(OC2H5)4 + 12O2 --> SiO2 + 8CO2 + 10H2O

Si(OC2H5)4 --> SiO2 + 4C2H4 + 2H2O

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